megvesz BSO612CV BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BSO612CV
- Cikkszám:
- BSO612CV
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18074 Pieces
- Adatlap:
- BSO612CV.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSO612CV, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSO612CV e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | P-DSO-8 |
| Sorozat: | SIPMOS® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 2W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | BSO612CVINTR SP000012292 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | BSO612CV |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Standard |
| Bővített leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSO612CV-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 | Vizsgálat |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | Vizsgálat |
|
BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
APTM100DSK35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Vizsgálat |
|
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | Vizsgálat |
 |
SLA5037 | Sanken | MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP | Vizsgálat |
|
BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | Vizsgálat |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | Vizsgálat |
|
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Vizsgálat |
|
BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers