megvesz BSO080P03NS3GXUMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BSO080P03NS3GXUMA1
- Cikkszám:
- BSO080P03NS3GXUMA1
- Leírás:
- MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15740 Pieces
- Adatlap:
- BSO080P03NS3GXUMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSO080P03NS3GXUMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSO080P03NS3GXUMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 150µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-DSO-8 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 14.8A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.6W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GTR-ND BSO080P03NS3G SP000472996 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | BSO080P03NS3GXUMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 6750pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSO080P03NS3GXUMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | Vizsgálat |
|
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | Vizsgálat |
|
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | Vizsgálat |
 |
SI4430BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
BSO119N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO | Vizsgálat |
|
SI4842BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
FQD5N40TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | Vizsgálat |
 |
IRFB7434PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 195A TO220 | Vizsgálat |
|
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | Vizsgálat |
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog