BSO080P03NS3GXUMA1
BSO080P03NS3GXUMA1
Cikkszám:
BSO080P03NS3GXUMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15740 Pieces
Adatlap:
BSO080P03NS3GXUMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSO080P03NS3GXUMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSO080P03NS3GXUMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BSO080P03NS3GXUMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.1V @ 150µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-DSO-8
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 14.8A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.6W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:BSO080P03NS3 G
BSO080P03NS3 G-ND
BSO080P03NS3 GTR-ND
BSO080P03NS3G
SP000472996
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):3 (168 Hours)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:BSO080P03NS3GXUMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:6750pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások