megvesz BSM100GB170DN2HOSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BSM100GB170DN2HOSA1
- Cikkszám:
- BSM100GB170DN2HOSA1
- Leírás:
- MODULE IGBT 1700V
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18008 Pieces
- Adatlap:
- BSM100GB170DN2HOSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSM100GB170DN2HOSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSM100GB170DN2HOSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1700V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.9V @ 15V, 100A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 1000W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | SP000092012 |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| NTC termisztor: | No |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 16nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Bővített leírás: | IGBT Module Half Bridge 1700V 145A 1000W Chassis Mount Module |
| Leírás: | MODULE IGBT 1700V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 145A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSM100GB170DN2HOSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT100TA120TPG | Microsemi Corporation | MOD IGBT 1200V 140A SP6-P | Vizsgálat |
 |
APT75GT120JRDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 97A 480W SOT227 | Vizsgálat |
 |
IRG7T150CL12B | Infineon Technologies | MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 | Vizsgálat |
|
APTGT50H60T1G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Vizsgálat |
 |
CM300DU-24H | Powerex Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 300A U SER | Vizsgálat |
|
APTGT100TL170G | Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6 | Vizsgálat |
 |
APT100GT60JRDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog