BSC105N10LSFGATMA1
BSC105N10LSFGATMA1
Cikkszám:
BSC105N10LSFGATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12559 Pieces
Adatlap:
BSC105N10LSFGATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSC105N10LSFGATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSC105N10LSFGATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BSC105N10LSFGATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 110µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TDSON-8
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Teljesítményleadás (Max):156W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:BSC105N10LSF G
BSC105N10LSF G-ND
SP000388502
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:BSC105N10LSFGATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:11.4A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások