BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3E G
Cikkszám:
BSC060P03NS3E G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19695 Pieces
Adatlap:
BSC060P03NS3E G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSC060P03NS3E G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSC060P03NS3E G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BSC060P03NS3E G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.1V @ 150µA
Vgs (Max):±25V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TDSON-8
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.5W (Ta), 83W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:BSC060P03NS3E G-ND
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:BSC060P03NS3E G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:6020pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):6V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:17.7A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások