megvesz APTML20UM18R010T1AG BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | SP1 |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 50A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 480W (Tc) |
Csomagolás: | Bulk |
Csomagolás / tok: | SP1 |
Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Chassis Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
Gyártási szám: | APTML20UM18R010T1AG |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 9880pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 200V |
Leírás: | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 109A (Tc) |
Email: | [email protected] |