APTC90H12T2G
Cikkszám:
APTC90H12T2G
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18989 Pieces
Adatlap:
APTC90H12T2G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója APTC90H12T2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét APTC90H12T2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz APTC90H12T2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3mA
Szállító eszközcsomag:SP2
Sorozat:CoolMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 26A, 10V
Teljesítmény - Max:250W
Csomagolás:Tray
Csomagolás / tok:SP2
Üzemi hőmérséklet:-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Chassis Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:APTC90H12T2G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
FET típus:4 N-Channel (H-Bridge)
FET funkció:Super Junction
Bővített leírás:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):900V
Leírás:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások