megvesz APT70GR120B2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
APT70GR120B2
- Cikkszám:
- APT70GR120B2
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- IGBT 1200V 160A 961W TO247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19789 Pieces
- Adatlap:
- APT70GR120B2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója APT70GR120B2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét APT70GR120B2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.2V @ 15V, 70A |
| Teszt állapot: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| Energiaváltás: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 961W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
| Gyártási szám: | APT70GR120B2 |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | NPT |
| Gate Charge: | 544nC |
| Bővített leírás: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 |
| Leírás: | IGBT 1200V 160A 961W TO247 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 280A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 160A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az APT70GR120B2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Vizsgálat |
 |
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Vizsgálat |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Vizsgálat |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Vizsgálat |
 |
STGWT30H60DFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO3PL | Vizsgálat |
|
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Vizsgálat |
 |
FGH40N60SFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 290W TO247 | Vizsgálat |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Vizsgálat |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Vizsgálat |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Vizsgálat |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog