megvesz AOWF4S60 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.1V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Sorozat: | aMOS™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 25W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
Gyártási szám: | AOWF4S60 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 263pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 600V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
Leírás: | MOSFET N-CH 600V 4A TO262F |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |