2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - Tranzisztorok - JFETs 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Cikkszám:: 2SK3666-2-TB-E

Gyártó:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Leírás:: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Ólommentes állapot / RoHS állapot:: Ólommentes / RoHS megfelelő

elérhető mennyiség:: 19195 Pieces

Adatlap:: 2SK3666-2-TB-E.pdf

Vizsgálat

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója 2SK3666-2-TB-E, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét 2SK3666-2-TB-E e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.

megvesz 2SK3666-2-TB-E BYCHPS-vel

Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - lekapcsolás (VGS ki) @ Id:	180mV @ 1µA
Szállító eszközcsomag:	3-CP
Sorozat:	-
Ellenállás - RDS (On):	200 Ohm
Teljesítmény - Max:	200mW
Csomagolás:	Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Más nevek:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
Üzemi hőmérséklet:	150°C (TJ)
Szerelési típus:	Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):	1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:	4 Weeks
Gyártási szám:	2SK3666-2-TB-E
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 10V
FET típus:	N-Channel
Bővített leírás:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):	30V
Leírás:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
Áramvezeték (Id) - Max:	10mA
Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0):	600µA @ 10V
Email:	[email protected]

Kapcsolódó alkatrészek az 2SK3666-2-TB-E-hoz

Cikkszám	Gyártók	Leírás	Kilátás
2SK3666-4-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.2W CP	Vizsgálat
2N5545JTX01	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO-71	Vizsgálat
2SK3666-3-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	Vizsgálat
TF202THC-3-TL-H	ON Semiconductor	JFET N-CH 1MA 100MW VTFP	Vizsgálat

Bevezetés

Műszaki adatok

Gyors kérés

Latest News