2N5551ZL1G
Cikkszám:
2N5551ZL1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12375 Pieces
Adatlap:
2N5551ZL1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója 2N5551ZL1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét 2N5551ZL1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz 2N5551ZL1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):160V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:200mV @ 5mA, 50mA
Tranzisztor típusú:NPN
Szállító eszközcsomag:TO-92-3
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:625mW
Csomagolás:Tape & Box (TB)
Csomagolás / tok:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:2N5551ZL1G
Frekvencia - Átmenet:300MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Leírás:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások