1N4448TR
1N4448TR
Cikkszám:
1N4448TR
Gyártó:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Leírás:
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15377 Pieces
Adatlap:
1N4448TR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója 1N4448TR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét 1N4448TR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz 1N4448TR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1V @ 100mA
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):100V
Szállító eszközcsomag:DO-35
Sebesség:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):8ns
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:DO-204AH, DO-35, Axial
Más nevek:1N4448VSTR
Működési hőmérséklet - csatlakozás:175°C (Max)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:7 Weeks
Gyártási szám:1N4448TR
Bővített leírás:Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:5µA @ 75V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):150mA
Capacitance @ Vr, F:4pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások