hírek

Az Infineon kibővíti a TRENCHSTOP vékony wafer IGBT-eket

Az új termékcsalád akár 40 A 650 V-os IGBT-t is kínál, melyet egy teljes névleges 40 A-os diódával láttak el a TO-263-3 felszíni szerelésben, amely D2PAK néven is ismert.

A D2PAK csomagban található TrenchStop 5 IGBT a nagyobb teljesítmény sűrűség iránti növekvő igényt szolgálja az elektromos berendezésekben az automatizált felületi szereléshez.

A legmagasabb teljesítménysűrűséget és hatékonyságot igénylő tipikus alkalmazások: napenergia-inverterek, szünetmentes tápegység (UPS), akkumulátor töltés és energiatárolás.

Ez lehetővé teszi a nagyobb teljesítménysűrűséget egy kisebb chip méretben, pl. 40A 650V IGBT-t egy 40A-os diódával együtt a D2PAK házban.

A D2PAK versenytársaival összehasonlítva az új család azt állítja, hogy magasabb minősítést kínál, mint bármely más termék a piacon, és más, együttesen csomagolt megoldásokkal, amelyek csak a teljesítmény 75 százalékát kínálják.

Az új készülékek nagy teljesítménysűrűsége lehetővé teszi a tervezők számára a már meglévő tervek fejlesztését, új platformok kifejlesztését, akár 25% -kal nagyobb teljesítmény mellett, vagy a párhuzamosan használt eszközök teljesítményének csökkentése és így a kompakt kialakítás.

A D2PAK-ban lévő 40A-os együttes csomagolás a D3PAK vagy a TO-247 alternatívájaként használható fel a felszíni szereléshez.