IPI037N08N3GXKSA1
IPI037N08N3GXKSA1
Cikkszám:
IPI037N08N3GXKSA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 80V 100A
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14278 Pieces
Adatlap:
IPI037N08N3GXKSA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPI037N08N3GXKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPI037N08N3GXKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPI037N08N3GXKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 155µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO262-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.75 mOhm @ 100A, 10V
Teljesítményleadás (Max):214W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Más nevek:SP000680654
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:IPI037N08N3GXKSA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:8110pF @ 40V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:117nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):80V
Leírás:MOSFET N-CH 80V 100A
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások