IPI032N06N3GAKSA1
IPI032N06N3GAKSA1
Cikkszám:
IPI032N06N3GAKSA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 120A
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13028 Pieces
Adatlap:
IPI032N06N3GAKSA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPI032N06N3GAKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPI032N06N3GAKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPI032N06N3GAKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 118µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO262-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 100A, 10V
Teljesítményleadás (Max):188W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Más nevek:SP000680650
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:IPI032N06N3GAKSA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 120A
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások