IPB120N06S4H1ATMA2
IPB120N06S4H1ATMA2
Cikkszám:
IPB120N06S4H1ATMA2
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17373 Pieces
Adatlap:
IPB120N06S4H1ATMA2.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB120N06S4H1ATMA2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB120N06S4H1ATMA2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB120N06S4H1ATMA2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-3-2
Sorozat:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
Teljesítményleadás (Max):250W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SP001028782
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:IPB120N06S4H1ATMA2
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:21900pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások