megvesz TPH3206LSB BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
TPH3206LSB
- Cikkszám:
- TPH3206LSB
- Gyártó:
- Transphorm
- Leírás:
- GAN FET 650V 16A PQFN88
- elérhető mennyiség:
- 13416 Pieces
- Adatlap:
- TPH3206LSB.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TPH3206LSB, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TPH3206LSB e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Technológia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Szállító eszközcsomag: | PQFN (8x8) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
| Teljesítményleadás (Max): | 81W (Tc) |
| Csomagolás / tok: | 3-PowerDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | TPH3206LSB |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | - |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TPH3206LSB-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3208LDG | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Vizsgálat |
|
TPH3206LDGB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Vizsgálat |
 |
TPH3206PD | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Vizsgálat |
 |
TPH3206LD | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Vizsgálat |
 |
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | Vizsgálat |
 |
TPH3207WS | Transphorm | GAN FET 650V 50A TO247 | Vizsgálat |
 |
TPH3206LS | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Vizsgálat |
|
TPH3206LDB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Vizsgálat |
|
TPH3206PSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A TO220 | Vizsgálat |
|
TPH3202PS | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Vizsgálat |
|
TPH3206PS | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Vizsgálat |
|
TPH3205WSB | Transphorm | GAN FET 650V 36A TO247 | Vizsgálat |
|
TPH3208LS | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Vizsgálat |
|
TPH3202LS | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | Vizsgálat |
|
TPH3202PD | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog