megvesz LET20030C BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
LET20030C
- Cikkszám:
- LET20030C
- Gyártó:
- ST
- Leírás:
- FET RF 80V 2GHZ M243
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18694 Pieces
- Adatlap:
- LET20030C.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója LET20030C, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét LET20030C e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 28V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 80V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS |
| Szállító eszközcsomag: | M243 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 45W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | M243 |
| Más nevek: | 497-13531 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | LET20030C |
| Nyereség: | 13.9dB |
| Frekvencia: | 2GHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 2GHz 13.9dB 45W M243 |
| Leírás: | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| Jelenlegi értékelés: | 9A |
| Jelenlegi - teszt: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az LET20030C-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | Vizsgálat |
 |
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Vizsgálat |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | Vizsgálat |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | Vizsgálat |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | Vizsgálat |
 |
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 | Vizsgálat |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | Vizsgálat |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | Vizsgálat |
 |
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | Vizsgálat |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Vizsgálat |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Vizsgálat |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Vizsgálat |
 |
475-501N44A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog