JAN1N5807US
Cikkszám:
JAN1N5807US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
18910 Pieces
Adatlap:
JAN1N5807US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JAN1N5807US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JAN1N5807US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JAN1N5807US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:875mV @ 4A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):50V
Szállító eszközcsomag:B, SQ-MELF
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/477
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, B
Más nevek:JAN1N5807US-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:JAN1N5807US
Bővített leírás:Diode Standard 50V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:5µA @ 50V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):6A
Capacitance @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások