JAN1N5553
Cikkszám:
JAN1N5553
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
17856 Pieces
Adatlap:
JAN1N5553.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JAN1N5553, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JAN1N5553 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JAN1N5553 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.3V @ 9A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):800V
Sebesség:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/420
Hátralévő helyreállítási idő (trr):2µs
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:B, Axial
Más nevek:1086-2099
1086-2099-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:JAN1N5553
Bővített leírás:Diode Standard 800V 3A Through Hole
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:1µA @ 800V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások