JAN1N5417
JAN1N5417
Cikkszám:
JAN1N5417
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
12206 Pieces
Adatlap:
JAN1N5417.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JAN1N5417, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JAN1N5417 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz JAN1N5417 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.5V @ 9A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):200V
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:Military, MIL-PRF-19500/411
Hátralévő helyreállítási idő (trr):150ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:B, Axial
Más nevek:1086-2088
1086-2088-MIL
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:JAN1N5417
Bővített leírás:Diode Standard 200V 3A Through Hole
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:1µA @ 200V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások