megvesz JAN1N5416US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
JAN1N5416US
- Cikkszám:
- JAN1N5416US
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13875 Pieces
- Adatlap:
- JAN1N5416US.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója JAN1N5416US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét JAN1N5416US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 100V |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 150ns |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | B, Axial |
| Más nevek: | 1086-2087 1086-2087-MIL |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -65°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | JAN1N5416US |
| Bővített leírás: | Diode Standard 100V 3A Through Hole |
| Diódatípus: | Standard |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 1µA @ 100V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 3A |
| Capacitance @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az JAN1N5416US-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Vizsgálat |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Vizsgálat |
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Vizsgálat |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Vizsgálat |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Vizsgálat |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog