megvesz IXFN32N80P BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXFN32N80P
- Cikkszám:
- IXFN32N80P
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16657 Pieces
- Adatlap:
- IXFN32N80P.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXFN32N80P, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXFN32N80P e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-227B |
| Sorozat: | PolarHV™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 16A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 625W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXFN32N80P |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 8820pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 800V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 29A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXFN32N80P-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN340N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN36N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN340N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | Vizsgálat |
|
IXFN34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN36N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 | Vizsgálat |
|
IXFN360N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | Vizsgálat |
|
IXFN34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog