EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
Cikkszám:
EPC2032ENGRT
Gyártó:
EPC
Leírás:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19576 Pieces
Adatlap:
EPC2032ENGRT.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója EPC2032ENGRT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét EPC2032ENGRT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz EPC2032ENGRT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 11mA
Technológia:GaNFET (Gallium Nitride)
Szállító eszközcsomag:Die
Sorozat:eGaN®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 5V
Teljesítményleadás (Max):-
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:Die
Más nevek:917-EPC2032ENGRDKR
Üzemi hőmérséklet:-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:EPC2032ENGRT
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások