EPC2021ENGR
EPC2021ENGR
Cikkszám:
EPC2021ENGR
Gyártó:
EPC
Leírás:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15471 Pieces
Adatlap:
EPC2021ENGR.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója EPC2021ENGR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét EPC2021ENGR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz EPC2021ENGR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 14mA
Technológia:GaNFET (Gallium Nitride)
Szállító eszközcsomag:Die
Sorozat:eGaN®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 29A, 5V
Teljesítményleadás (Max):-
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:Die
Más nevek:917-EPC2021ENGRTR
Üzemi hőmérséklet:-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:EPC2021ENGR
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 40V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):80V
Leírás:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások