megvesz EPC2010 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 3mA |
---|---|
Technológia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Szállító eszközcsomag: | Die |
Sorozat: | eGaN® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 6A, 5V |
Teljesítményleadás (Max): | - |
Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
Csomagolás / tok: | Die |
Más nevek: | 917-1016-1 |
Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | EPC2010 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 200V |
Leírás: | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
Email: | [email protected] |