megvesz CSD19502Q5B BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-VSON (5x6) |
Sorozat: | NexFET™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
Más nevek: | CSD19502Q5B-ND |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
Gyártási szám: | CSD19502Q5B |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 4870pF @ 40V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 80V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 6V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
Leírás: | MOSFET N-CH 80V 100A 8SON |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
Email: | [email protected] |