megvesz C3M0120090J BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 3mA |
---|---|
Vgs (Max): | +18V, -8V |
Technológia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Szállító eszközcsomag: | D2PAK-7 |
Sorozat: | C3M™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Teljesítményleadás (Max): | 83W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | C3M0120090J |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 600V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.3nC @ 15V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 15V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 900V |
Leírás: | MOSFET N-CH 900V 22A |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
Email: | [email protected] |