C3M0120090J
C3M0120090J
Cikkszám:
C3M0120090J
Gyártó:
Cree
Leírás:
MOSFET N-CH 900V 22A
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17578 Pieces
Adatlap:
C3M0120090J.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója C3M0120090J, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét C3M0120090J e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz C3M0120090J BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3mA
Vgs (Max):+18V, -8V
Technológia:SiCFET (Silicon Carbide)
Szállító eszközcsomag:D2PAK-7
Sorozat:C3M™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:155 mOhm @ 15A, 15V
Teljesítményleadás (Max):83W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:C3M0120090J
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 600V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:17.3nC @ 15V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):15V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):900V
Leírás:MOSFET N-CH 900V 22A
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások