megvesz C3M0065100K BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Technológia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247-4L |
| Sorozat: | C3M™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Teljesítményleadás (Max): | 113.5W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-4 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Gyártási szám: | C3M0065100K |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 15V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |