megvesz APT200GN60B2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
APT200GN60B2G
- Cikkszám:
- APT200GN60B2G
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19433 Pieces
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója APT200GN60B2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét APT200GN60B2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| Teszt állapot: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 50ns/560ns |
| Energiaváltás: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 682W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Más nevek: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
| Gyártási szám: | APT200GN60B2G |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 1180nC |
| Bővített leírás: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| Leírás: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 600A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 283A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az APT200GN60B2G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Vizsgálat |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Vizsgálat |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Vizsgálat |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Vizsgálat |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Vizsgálat |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Vizsgálat |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Vizsgálat |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Vizsgálat |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Vizsgálat |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Vizsgálat |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Vizsgálat |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog