1N5821US
1N5821US
Cikkszám:
1N5821US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
12200 Pieces
Adatlap:
1N5821US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója 1N5821US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét 1N5821US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz 1N5821US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:500mV @ 3A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):30V
Szállító eszközcsomag:B, SQ-MELF
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, B
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 125°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:1N5821US
Bővített leírás:Diode Schottky 30V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Diódatípus:Schottky
Leírás:DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:100µA @ 30V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások