1N5809US
1N5809US
Cikkszám:
1N5809US
Gyártó:
Microsemi
Leírás:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
13061 Pieces
Adatlap:
1N5809US.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója 1N5809US, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét 1N5809US e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz 1N5809US BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:875mV @ 4A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):100V
Szállító eszközcsomag:B, SQ-MELF
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):30ns
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:SQ-MELF, B
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-65°C ~ 175°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:7 Weeks
Gyártási szám:1N5809US
Bővített leírás:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:5µA @ 100V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):3A
Capacitance @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások