ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA
Cikkszám:
ZXMN3F31DN8TA
Gyártó:
Diodes Incorporated
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15990 Pieces
Adatlap:
ZXMN3F31DN8TA.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója ZXMN3F31DN8TA, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét ZXMN3F31DN8TA e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz ZXMN3F31DN8TA BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SOP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 7A, 10V
Teljesítmény - Max:1.8W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:ZXMN3F31DN8TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:ZXMN3F31DN8TA
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:608pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12.9nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:5.7A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások