TK9A90E,S4X
TK9A90E,S4X
Cikkszám:
TK9A90E,S4X
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12185 Pieces
Adatlap:
TK9A90E,S4X.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TK9A90E,S4X, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TK9A90E,S4X e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz TK9A90E,S4X BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 900µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220SIS
Sorozat:π-MOSVIII
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):50W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Más nevek:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:TK9A90E,S4X
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 900V 9A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):900V
Leírás:MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások