SQR40N10-25_GE3
SQR40N10-25_GE3
Cikkszám:
SQR40N10-25_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14224 Pieces
Adatlap:
SQR40N10-25_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQR40N10-25_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQR40N10-25_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQR40N10-25_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263 (D2Pak)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 40A, 10V
Teljesítményleadás (Max):136W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQR40N10-25_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3380pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások