SQD35N05-26L-GE3
SQD35N05-26L-GE3
Cikkszám:
SQD35N05-26L-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15720 Pieces
Adatlap:
SQD35N05-26L-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQD35N05-26L-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQD35N05-26L-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQD35N05-26L-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-252, (D-Pak)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):50W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SQD35N05-26L-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1175pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 30A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások