megvesz SPI11N60C3XKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPI11N60C3XKSA1
- Cikkszám:
- SPI11N60C3XKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13652 Pieces
- Adatlap:
- SPI11N60C3XKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPI11N60C3XKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPI11N60C3XKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO262-3-1 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 125W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Más nevek: | SP000680986 SPI11N60C3 SPI11N60C3BKSA1 SPI11N60C3IN SPI11N60C3IN-ND SPI11N60C3X SPI11N60C3X-ND SPI11N60C3XK |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | SPI11N60C3XKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPI11N60C3XKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Vizsgálat |
 |
IPB100N10S305ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Vizsgálat |
 |
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | Vizsgálat |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Vizsgálat |
 |
STFU15NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP | Vizsgálat |
 |
NVMFS5C430NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL | Vizsgálat |
 |
IRFR3704TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | Vizsgálat |
|
IRFC4768ED | Infineon Technologies | MOSFET N-CH WAFER | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers