SISS28DN-T1-GE3
Cikkszám:
SISS28DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15709 Pieces
Adatlap:
SISS28DN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SISS28DN-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SISS28DN-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SISS28DN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET® Gen IV
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.52 mOhm @ 15A, 10V
Teljesítményleadás (Max):57W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SISS28DN-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SISS28DN-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3640pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 25V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):25V
Leírás:MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások