SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
Cikkszám:
SIHP5N50D-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15524 Pieces
Adatlap:
1.SIHP5N50D-E3.pdf2.SIHP5N50D-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHP5N50D-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHP5N50D-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHP5N50D-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220AB
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):104W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3CT-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:13 Weeks
Gyártási szám:SIHP5N50D-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):500V
Leírás:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások