SIHF6N65E-GE3
SIHF6N65E-GE3
Cikkszám:
SIHF6N65E-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12026 Pieces
Adatlap:
SIHF6N65E-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHF6N65E-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHF6N65E-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHF6N65E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220 Full Pack
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3A, 10V
Teljesítményleadás (Max):31W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3 Full Pack
Más nevek:SIHF6N65E-GE3CT
SIHF6N65E-GE3CT-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SIHF6N65E-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások