SIE810DF-T1-GE3
SIE810DF-T1-GE3
Cikkszám:
SIE810DF-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13288 Pieces
Adatlap:
SIE810DF-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIE810DF-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIE810DF-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIE810DF-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:10-PolarPAK® (L)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.4 mOhm @ 25A, 10V
Teljesítményleadás (Max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:10-PolarPAK® (L)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SIE810DF-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások