SIA417DJ-T1-GE3
SIA417DJ-T1-GE3
Cikkszám:
SIA417DJ-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14580 Pieces
Adatlap:
SIA417DJ-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIA417DJ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIA417DJ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIA417DJ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SC-70-6 Single
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 7A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SC-70-6
Más nevek:SIA417DJ-T1-GE3TR
SIA417DJT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SIA417DJ-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 4V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Leírás:MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások