SI8497DB-T2-E1
SI8497DB-T2-E1
Cikkszám:
SI8497DB-T2-E1
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16096 Pieces
Adatlap:
SI8497DB-T2-E1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI8497DB-T2-E1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI8497DB-T2-E1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI8497DB-T2-E1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-microfoot
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2.77W (Ta), 13W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-UFBGA
Más nevek:SI8497DB-T2-E1TR
SI8497DBT2E1
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI8497DB-T2-E1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1320pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):2V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások