SI7342DP-T1-GE3
SI7342DP-T1-GE3
Cikkszám:
SI7342DP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12959 Pieces
Adatlap:
SI7342DP-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI7342DP-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI7342DP-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI7342DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.25 mOhm @ 15A, 10V
Teljesítményleadás (Max):1.8W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI7342DP-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások