SI4562DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4562DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17196 Pieces
Adatlap:
SI4562DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4562DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4562DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4562DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Teljesítmény - Max:2W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4562DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 4.5V
FET típus:N and P-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások