megvesz SI1970DH-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SI1970DH-T1-E3
- Cikkszám:
- SI1970DH-T1-E3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16207 Pieces
- Adatlap:
- SI1970DH-T1-E3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI1970DH-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI1970DH-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | SC-70-6 (SOT-363) |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 1.25W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Más nevek: | SI1970DH-T1-E3TR SI1970DHT1E3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SI1970DH-T1-E3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 95pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI1970DH-T1-E3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO | Vizsgálat |
 |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | Vizsgálat |
|
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | Vizsgálat |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | Vizsgálat |
 |
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | Vizsgálat |
 |
SP8J5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
STS4DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | Vizsgálat |
|
SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | Vizsgálat |
|
SI1972DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6 | Vizsgálat |
 |
NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | Vizsgálat |
 |
SI7923DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers