RQ3E130BNTB
Cikkszám:
RQ3E130BNTB
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18244 Pieces
Adatlap:
RQ3E130BNTB.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RQ3E130BNTB, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RQ3E130BNTB e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RQ3E130BNTB BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-HSMT (3.2x3)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 13A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerVDFN
Más nevek:RQ3E130BNTBTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RQ3E130BNTB
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások