RN1910,LF(CT
RN1910,LF(CT
Cikkszám:
RN1910,LF(CT
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13842 Pieces
Adatlap:
RN1910,LF(CT.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RN1910,LF(CT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RN1910,LF(CT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RN1910,LF(CT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:US6
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):-
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):4.7k
Teljesítmény - Max:100mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek:RN1910(T5L,F,T)
RN1910(T5LFT)TR
RN1910(T5LFT)TR-ND
RN1910,LF(CB
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:RN1910,LF(CT
Frekvencia - Átmenet:250MHz
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
Leírás:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások