RGT60TS65DGC11
RGT60TS65DGC11
Cikkszám:
RGT60TS65DGC11
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19789 Pieces
Adatlap:
RGT60TS65DGC11.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RGT60TS65DGC11, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RGT60TS65DGC11 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RGT60TS65DGC11 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 30A
Teszt állapot:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (be / ki) @ 25 ° C:29ns/100ns
Energiaváltás:-
Szállító eszközcsomag:TO-247N
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):58ns
Teljesítmény - Max:194W
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-247-3
Üzemi hőmérséklet:-40°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:15 Weeks
Gyártási szám:RGT60TS65DGC11
Bemeneti típus:Standard
IGBT típus:Trench Field Stop
Gate Charge:58nC
Bővített leírás:IGBT Trench Field Stop 650V 55A 194W Through Hole TO-247N
Leírás:IGBT 650V 55A 194W TO-247N
Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm):90A
Áram - kollektor (Ic) (Max):55A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások