PHB11N06LT,118
PHB11N06LT,118
Cikkszám:
PHB11N06LT,118
Gyártó:
NXP Semiconductors / Freescale
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14220 Pieces
Adatlap:
PHB11N06LT,118.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója PHB11N06LT,118, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét PHB11N06LT,118 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz PHB11N06LT,118 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D2PAK
Sorozat:TrenchMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 5.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):33W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:934055182118
PHB11N06LT /T3
PHB11N06LT /T3-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:PHB11N06LT,118
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:5.2nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount D2PAK
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:10.3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások